- retard à la décroissance
- время рассасывания для биполярного транзистора
- время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения полевого транзистора
время задержки выключения
Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса.
Обозначение
tзд.выкл
td(off)
[ГОСТ 19095-73]Тематики
- полупроводниковые приборы
Синонимы
- время задержки выключения
EN
- turn-off delay time
DE
- Ausschaltverzögerungszeit
FR
- retard à la décroissance
время рассасывания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня.
Обозначение
tрас
ts
[ГОСТ 20003-74]Тематики
- полупроводниковые приборы
EN
- carrier storage time
DE
- Speicherzeit
FR
- retard à la décroissance
38. Время рассасывания для биполярного транзистора
D. Speicherzeit
E. Carrier storage time
F. Retard à la décroissance
tрас
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии. academic.ru. 2015.
